Производитель оперативной памяти Hynix Semiconductor рассказала о разработке DDR3-чипов нового поколения. Микросхемы оператичной памяти, будут обладать емкостью 1 Гбит и выпускаются с использованием 54-нм техпроцесса. Hynix Semiconductor заявил и о смене дизайна ОП, что привелет к уменьшению потребляемой мощности.

Новые чипы DDR3 от Hynix

Чипы нового покаления от Hynix Semiconducto будут работать при напряжении питания 1,5 В, как и микросхемы предыдущего поколения, но отличаются от них 30% сниженным энергопотреблением. Компания Hynix утверждает, что чипы DDR3 второго поколения по производительности являются лидерами среди других гигабитных решений. Новый дизайн ОП будет применяться и в новых 40-нм чипах емкостью 2 Гбит. По данным ведущих аналитических компаний мира, доля DDR3-чипов емкостью 1 Гбит на ИТ рынке составляет порядка 87%. Микросхемы оперативной памяти большей емкости займут более половины рынка не ранее 2011 года. Hynix уже начала массовый выпуск своих новых гигабитных чипов. Намомним, оперативная память Synchronous Dynamic Random Access Memory - это 3 поколение стандарта Double Data Rate или DDR3 SDRAM, представляет собой новое поколение оперативной памяти, которая очень скоро заменит самую распространенную сейчас DDR2 SDRAM.